離子研磨儀 IM4000II
日立離子研磨儀標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型IM4000Ⅱ能夠進(jìn)行截面研磨和平面研磨。還可通過低溫控制及真空轉(zhuǎn)移等各種選配功能，針對不同樣品進(jìn)行截面研磨。
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特點(diǎn)
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選配項(xiàng)
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規(guī)格
特點(diǎn)
高效率的截面研磨
IM4000II配備截面研磨能力達(dá)到500 µm/h*1以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質(zhì)材料，也可以高效地制備出截面樣品。
- *1
- 在加速電壓6 kV下，將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時(shí)的深度
樣品：Si片（2 mm厚）
加速電壓：6.0 kV
擺動(dòng)角度：±30°
研磨時(shí)間：1小時(shí)
截面研磨時(shí)如果擺動(dòng)的角度發(fā)生變化，加工的寬度和深度也會(huì)發(fā)生變化。下圖為Si片在擺動(dòng)角度為±15°下進(jìn)行截面研磨后的結(jié)果。除擺動(dòng)角度以外，其他條件與上述加工條件一致。通過與上面結(jié)果進(jìn)行對比后，可發(fā)現(xiàn)加工的深度變深。
對于觀察目標(biāo)位于深處的樣品來說，能夠?qū)悠愤M(jìn)行更快速的截面研磨。
樣品：Si片（2 mm厚）
加速電壓：6.0 kV
擺動(dòng)角度：±15°
研磨時(shí)間：1小時(shí)
復(fù)合型研磨儀
截面研磨
- 即使是由不同硬度以及研磨速度材質(zhì)所構(gòu)成的復(fù)合材料，也可以通過IM4000Ⅱ制備出平滑的研磨面
- 優(yōu)化加工條件，降低因離子束所致樣品的損傷
- 可裝載20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品
截面研磨的主要用途
- 金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等樣品的截面制備
- 含有裂縫和空隙等特定位置的樣品截面制備
- 多層樣品的截面制備以及對樣品EBSD分析的前處理
平面研磨
- 直徑約為5mm范圍內(nèi)的均勻加工
- 應(yīng)用領(lǐng)域廣泛
- 可裝載直徑50 mm × 高度25 mm的樣品
- 可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動(dòng)（±60度，±90度的擺動(dòng)）2種加工方法
平面研磨的主要用途
- 去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變
- 去除樣品表層部分
- 消除因FIB加工所致的損傷層
選配項(xiàng)
低溫控制功能*1
將液氮裝入杜瓦罐中，以此作為冷卻源間接冷卻樣品。IM4000Ⅱ配有溫度調(diào)節(jié)控制功能，以防止樹脂和橡膠樣品過冷。
- *1 需與主機(jī)同時(shí)訂購。
常溫研磨
冷卻研磨（-100℃）
- 樣品：減少塑料使用的功能性（紙質(zhì)）隔離材料
真空轉(zhuǎn)移功能
離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接轉(zhuǎn)移到SEM*1、AFM*2上。真空轉(zhuǎn)移功能與低溫控制功能可同時(shí)使用。（平面研磨真空轉(zhuǎn)移功能不適用低溫控制功能）。
- *1 僅支持帶有真空轉(zhuǎn)移交換倉的日立FE-SEM
- *2 僅支持真空型日立AFM。
觀察加工過程的體式顯微鏡
右圖為用于觀察樣品加工過程的體式顯微鏡。搭載了CCD相機(jī)的三目型顯微鏡能夠在顯示器上進(jìn)行觀察。也可配置雙目型體式顯微鏡。
規(guī)格
| 主要內(nèi)容 | |
|---|---|
| 使用氣體 | 氬氣 |
| 氬氣流量控制方式 | 質(zhì)量流量控制 |
| 加速電壓 | 0.0 ～ 6.0 kV |
| 尺寸 | 616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
| 重量 | 主機(jī)53 kg＋機(jī)械泵30 kg |
| 截面研磨 | |
| 研磨速度（Si材料） | 500 µm/h*1以上 |
| 樣品尺寸 | 20(W）×12(D）×7（H）mm |
| 樣品移動(dòng)范圍 | X±7 mm、Y 0 ～+3 mm |
| 離子束間歇加工功能 開啟/關(guān)閉 時(shí)間設(shè)定范圍 | 1秒 ～ 59分59秒 |
| 擺動(dòng)角度 | ±15°、±30°、±40° |
| 廣域截面研磨功能 | - |
| 平面研磨 | |
| 加工范圍 | φ32 mm |
| 樣品尺寸 | Φ50 X 25 (H) mm |
| 樣品移動(dòng)范圍 | X 0～＋5 mm |
| 離子束間歇加工功能 開啟/關(guān)閉 時(shí)間設(shè)定范圍 | 1秒 ～ 59分59秒 |
| 旋轉(zhuǎn)速度 | 1 rpm、25 rpm |
| 擺動(dòng)角度 | ±60°、± 90° |
| 傾斜角度 | 0 ～ 90° |
- *1 將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時(shí)的深度。
選配項(xiàng)
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 |
|---|---|
| 低溫控制功能*2 | 通過液氮間接冷卻樣品，溫度設(shè)定范圍：0°C ～ －100°C |
| 超硬遮擋板 | 使用時(shí)間約為標(biāo)準(zhǔn)遮擋板的2倍（不含鈷） |
| 加工過程觀察用顯微鏡 | 放大倍數(shù) 15× ～ 100× 雙目型、三目型（可裝CCD） |
- *2 需與主機(jī)同時(shí)訂購。冷卻溫度控制功能在使用時(shí)，部分功能可能使用有限。
關(guān)聯(lián)產(chǎn)品分類
- 場發(fā)射掃描電子顯微鏡 (FE-SEM)
- 掃描電子顯微鏡 (SEM)
- 透射電子顯微鏡 (TEM/STEM)
