日本arios小型濺射系統(tǒng) SS-DC?RF301
總結(jié)
這是一種使用濺射（通?？s寫為濺射）的薄膜沉積裝置。 濺射成膜的特點是飛入基板的顆粒具有相對較大的能量，因此可以產(chǎn)生具有高附著力的強膜。 另一方面，由于等離子體是用氬氣和其他物質(zhì)制成的，并且這作用于基材，因此基板表面的粗糙度可能是一個問題。
該裝置是一種小型濺射裝置，配備一個2“磁控管陰極和一個板加熱機構(gòu)。 所有功能都封裝在JIS機架尺寸中，以追求節(jié)省空間和易用性。 我們還擁有與 UHV 兼容的飛濺設(shè)備，并配有交換室。
特征
雖然體積小，但具有與成熟的濺射設(shè)備相同的規(guī)格和性能。
憑借其緊湊、輕巧和簡單的設(shè)計，它可以安裝在辦公桌的一半左右的空間內(nèi)。
電路板上下機制允許您任意設(shè)置目標(biāo)和電路板之間的距離。
基板加熱可以在高溫下進行。
標(biāo)準(zhǔn)冷水機組僅允許使用電力和燃氣運行。
法蘭可互換，可以重新組合為向上濺射和向下濺射。
濺射電源可選擇直流或射頻。
日本arios小型濺射系統(tǒng) SS-DC?RF301
主機規(guī)格
| 極限壓力 | 3×10-4 Pa以下 |
| 泄漏量 | 1×10-8 Pa?m3/秒以下（不包括O型圈傳輸） |
| 排氣系統(tǒng) | TMP+ 隔膜泵 |
| 真空計 | 全量程真空計（冷陰極+皮拉尼真空計） |
| 董事會階段 | 2英寸兼容載物臺 |
| 基板加熱溫度 | 最高 500°C（可選最高 800°C 支持） |
| 板垂直機構(gòu) | 行程 100mm 手動操作O型圈軸封 |
| 陰極 | 磁控管陰極（詳情如下） |
| 供氣系統(tǒng) | MFC1 （Ar） 1/4 世偉洛克 TM 或 VCRTM 連接 |
| 主體支架 | 在腳輪調(diào)節(jié)器上 |
| 尺寸和重量 | W540×D600 H1280（不包括連接器等），重量約100kg |
| 效用 | AC200V 單相 20A 工藝氣體 ： 氬氣（1/4 世偉洛克 TM 或 1/4 VCR TM） 氮氣（用于吹掃）：0.05~0.1 MPa（1/4 世偉洛克 TM 或 1/4 VCR TM) |
陰極
| 目標(biāo)大小 | 2英寸（參考照片）) |
| 目標(biāo)材料 | 各種機械卡盤類型或粘接方式 |
| 冷卻方式 | 水冷式（配備冷水機組） |
| 權(quán)力 | 直流輸出 500W 或射頻輸出 300W |
